ZnO覆盖的Si衬底上ZnCdTe-ZnTe量子阱的生长
硅作为一种工艺成熟的半导体材料,为电子学的发展作出了巨大的贡献,但信息技术的兴起使人们想到若把硅基电子学与光子学相结合,必将引发Si基集成电路和光电子技术的革命.在本文中,我们用低压有机金属化学气相沉积(MOCVD)方法在ZnO覆盖Si(100)衬底上处延生长了ZnCdTe-ZnTe量子阱结构,并与直接在Si(100)衬底上生长的同一结构进行了比较,通过对它们表面形貌及发光光谱的比较,我们发现,有ZnO覆盖层时,处延层的表面裂纹消失,并且发光效率明显提高.所以,我们认为ZnO的存在有助于ZnCdTe-ZnTe量子阱结构质量的提高.
ZnCdTe-ZnTe量子阱 Zn覆盖层 Si衬底 外延生长
单崇新 范希武 张吉英 张振中 马剑刚 吕有明 刘益春 申德振
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,中科院激发态物理开放实验室(长春)
国内会议
厦门
中文
98-100
2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）