功率IC芯片真空回流焊工艺缺陷研究

摘要：

分析了功率IC芯片真空回流焊装配中锡溅锡珠、芯片翻转、边缘空洞3种工艺缺陷的产生机理.研究了钢网厚度、钢网开口、回流时间、压力参数对真空回流焊工艺缺陷的影响.结果表明,功率IC芯片上的空洞随焊膏厚度增加而减小,”9宫”钢网开口更易于保持印刷厚度的一致性.采用120s预热时间、升温区预真空、变压力真空回流焊等措施,减少了锡溅锡珠,杜绝了芯片翻转,改善了芯片边缘空洞.

关键词： 功率IC芯片 真空回流焊 锡溅锡珠 芯片翻转 边缘空洞 缺陷分析

作者: 杨亮亮 陈容 秦文龙 张颖

作者单位: 中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 2019中国高端SMT学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 232-240

在线出版日期: 2019-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）