低介电常数纳米多孔复合材料的制备与性能
随着超大规模集成电路的快速发展,市场急需具有超低介电常数(k＜2.0)、高力学强度及高玻璃化转变温度、热稳定性好的介电材料.本文通过合成具有笼型中空结构的八苯并噁嗪基倍半硅氧烷(BZPOSS),并将其与双酚A型氰酸酯(BADCy)共混共聚制得纳米多孔复合材料.DSC测试结果表明BZPOSS对BADCy聚合有很好的催化效果,仅添加5wt％BZPOSS,共混体系聚合反应温度相比于纯的BADCy便有大幅度降低,在200℃以内便能反应完全.并且聚合得到的复合材料Tg达到287℃,高于纯的BADCy在250℃聚合得到的材料的Tg.SEM照片及EDS硅元素分布图表明BZPOSS均匀分散在复合材料中.介电测试表明,BZPOSS的引入可以明显地降低复合材料的介电常数及介电损耗.当BZPOSS添加量为15wt％时,介电常数及介电损耗分别为2.01及0.0070.
纳米多孔复合材料 低介电常数 制备工艺 介电性能
张帅 李晓丹 冉起超 顾宜
四川大学高分子科学与工程学院,高分子材料工程国家重点实验室,成都 610065 四川大学高分子科学与工程学院,高分子材料工程国家重点实验室,成都 610065;催化与功能有机分子重庆市重点实验室,重庆工商大学环境与资源学院,重庆 400067
国内会议
杭州
中文
476-480
2017-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）