基于杂散电感分析的MOSFET模块布局结构设计的研究

摘要：

金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)模块内部芯片布局及封装结构的不同引起的寄生电感分布的差异对模块的可靠性有直接的影响.为了减小模块内部的杂散电感,提高模块工作的可靠性,本文提出了三种符合要求的功率模块芯片布局结构,对比分析了功率模块内部三种芯片布局结构产生的环路寄生电感对开关过程的影响.结果表明通过不同的布局结构设计,可以实现减小杂散电感,提高模块工作可靠性的目的,为模块的封装提供参考.

关键词： 金属氧化物半导体场效应晶体管 功率模块 芯片布局 双脉冲测试 开关损耗 杂散参数

作者: 代茜 徐菊 郑利兵 靳鹏云

作者单位: 中国科学院电工研究所 北京 100190;中国科学院大学 北京 100049 中国科学院电工研究所 北京 100190

会议类型: 国内会议

会议名称: 第27届MICONEX2016科学仪器惠及民生系列分会场——2016年中国环境与安全监测技术研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 68-72

在线出版日期: 2016-09-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）