ITO透明导电薄膜制备工艺优化

摘要：

利用射频磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,主要研究了氧气流量、基底温度、溅射功率和氩气流量等工艺参数对薄膜光电性能的影响,计算了薄膜的品质因数,并根据品质因数优化了薄膜的制备工艺.实验结果表明:当氧气流量为4sccm、基底温度为285℃、溅射功率为1500W、氩气流量为160sccm时所制得的薄膜品质因数最高,平均透过率为81.8％,电阻率为3.12×10-6Ω·m,光电综合性能较好.

关键词： 氧化铟锡薄膜 射频磁控溅射 工艺优化 品质因数

作者: 沈飞 龙华保 周尧明

作者单位: 上海航天控制技术研究所,上海 201109;中国航天科技集团公司红外探测技术研发中心,上海 201109 北京航空航天大学,北京100191

会议类型: 国内会议

会议名称: 2017年光学技术研讨会暨交叉学科论坛

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 1-6

在线出版日期: 2017-09-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）