第三代宽禁带半导体(SiC)器件在空间太阳能电站中的应用及进展

摘要：

第三代宽禁带半导体(SiC、GaN)器件以其固有的大功率、耐高温及恶劣环境、抗辐照等特点,在替代传统的Si基器件方面具有无与伦比的技术优势.文章概述了第三代半导体(SiC)器件的发展现状,介绍了国内外第三代宽禁带半导体(SiC)器件研究进展及应用情况,并展望了第三代宽禁带半导体器件在空间太阳能电站中的应用前景.

关键词： 空间太阳能电站 第三代宽禁带半导体器件 性能表征

作者: 张宝林 唐林江 陈滔 万成安

作者单位: 北京卫星制造厂,北京 100094;天津大学,天津 300072 北京卫星制造厂,北京 100094

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届空间太阳能电站发展技术研讨会

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 94-100

在线出版日期: 2017-10-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）