AlN基衰减瓷的制备工艺及其性能研究

摘要：

采用热压烧结工艺,通过实验确定了烧结温度和压力,制备出AIN基衰减瓷.对材料的物理性能进行测试,热导率大于50 W/mK,抗折强度大于360 MPa.同时从工程化应用的角度出发,对衰减瓷的匹配特性和衰减量进行了测试,驻波比小于1.2,隔离度小于-70 dB.

关键词： 氮化铝基衰减瓷 制备工艺 抗折强度 热导率

作者: 陈昀 梁田 杨磊 刘洋 任重

作者单位: 南京三乐集团有限公司,江苏南京211800

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届电子陶瓷制造、陶瓷—金属封接技术交流会暨真空电子与专用金属材料分会年会

会议地点: 江西衢州

会议语种:中文

页码: 24-26

在线出版日期: 2017-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）