高导热氮化硅陶瓷的低温烧结和性能研究

摘要：

以Si粉体作为起始原料,以Zr02-Y203-MgO作为三元烧结助剂体系,通过流延成型和低温无压烧结工艺制备高导热氮化硅陶瓷基片,研究了ZrO2的引入对于氮化硅尚瓷的低温烧结致密化和热导率的影响规律.实验发现,氧化锆的引入可以明显降低烧结温度,在1800℃.实现氮化硅陶瓷的无压烧结.材料的密度可以达到99％以上,热导率达到72w/m·K.

关键词： 氮化硅陶瓷 低温烧结 流延成型 热导性能

作者: 张景贤 段于森 江东亮 陈忠明 刘学建 黄政仁 扬建 李晓云 丘泰

作者单位: 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海200050 南京工业大学材料科学与工程学院,江苏南京210009

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届电子陶瓷制造、陶瓷—金属封接技术交流会暨真空电子与专用金属材料分会年会

会议地点: 江西衢州

会议语种:中文

页码: 16-19,71

在线出版日期: 2017-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）