一项回顾性研究关于中枢神经系统损伤后局部脱髓鞘轴突膜表面离子通道的改变
中枢神经系统损伤后会出少突胶质细胞持续性凋亡以及进行性脱髓鞘的改变.目前研究表明这种持续性的病理改变不仅仅跟局部微环境的改变有关,包括抑制因子的增生,营养因子的减少,还跟损伤后残留的轴突局部膜表面的离子通道的改变有关.脱髓鞘影响轴突运输，进而影响轴突的退化，而少突胶质细胞与轴突之间存在，代谢、营养、骨架支持、离子通道，轴突运输等关系。轴突离不开少突胶质细胞，同样的少突胶质细胞细胞的生存也依赖于轴突，轴突的持续性退化进而导致少突胶质细胞的持续凋亡，进而恶性循环。所以残留轴突膜表面离子通道的改变是持续二次损伤的一个重要原因，也同时为今后为神经再生的治疗有了新的指导。
中枢神经系统损伤 脱髓鞘 轴突膜 离子通道
国内会议
西安
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319-320
2017-07-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）