第三代半导体SiC器件制造技术及航天应用展望
第三代半导体SiC材料在制作高压功率器件方面具有天然的优势.在对SiC器件通用技术介绍的基础上,重点研究了SiC刻蚀工艺技术和SiC肖特基二极管制造技术,并基于四英寸生产线对600V/10A SiC肖特基二极管进行了研制.结果表明,相比于Si器件,SiC肖特基二极管具有更低的正向压降和更好的高温特性、几乎为零的反向恢复时间和恢复电荷,适用于高压开关电路.特别是在航天领域，在长寿命、高可靠、抗辐射的发展背景下，母线电压的提高和超高压电源的现实需求，使得SiC器件在航天领域具有广阔的应用前景。
航天器 第三代半导体碳化硅器件 制造技术 性能表征
高博 薛智民 张志新 雷应毅 刘文平
西安微电子技术研究所
国内会议
深圳
中文
334-338
2017-06-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）