室温连续工作Ge基InAs量子点激光器
光子是信息系统依赖的一种重要信息载体,在高速信息传递方面具有不可替代的地位.另一方面,随着超大规模集成电路的发展,电子信息系统在信息处理功能和规模方面已经具有很高的成熟度.如果能将二者的优势在芯片间或芯片内相结合,无疑会大大提高信息系统的性能.主要研究了利用分子束外延技术来实现GaAs材料和Ge/Si材料的集成。该方案中的材料制备由两个部分组成：第一部分是在Si衬底上制备弛豫的Ge晶体薄膜材料；第二部分是在Ge/Si衬底上外延制备GaAs材料。这样就可以实现从间接带隙材料(Si)过渡到直接带隙材料（Ⅲ-Ⅴ），从而在Si基上制备激光光源。本报告中将重点介绍第二个部分，即在Ge薄膜上外延GaAs材料和InAs量子点激光器结构，并对室温连续工作Ge基激光器的性能进行分析。
锗基量子点激光器 砷化铟薄膜材料 制备工艺 波长特性
龚谦 曹春芳 严进一 赵旭熠 王海龙 周长帅 杨维凯
中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050 曲阜师范大学物理系,曲阜273165
国内会议
厦门
中文
1-1
2017-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）