硅氮氧薄膜中N-Si-O缺陷态在p-n结LED器件和光增益特性中的作用

摘要：

对掺氧后a-SiNxOy发光机制与光生载流子的复合动力学过程进行深入研究,从而证实了a-SiNxOy薄膜N-Si-O缺陷态发光机制.在p-n结LED器件研究中也发现,EL来自于电注入的载流子在N-Si-O缺陷态上的复合发光,并且N-Si-O缺陷态也作为载流子注入通道,是p-n异质结高效发光的重要原因.此外,研究了N-Si-O缺陷态在硅氮氧薄膜光增益特性的作用.

关键词： 发光二极管 硅氮氧薄膜 缺陷态 发光机制 光增益特性

作者: 林泽文 陈坤基 张鹏展 徐骏 董恒平 李伟 黄信凡

作者单位: 南京大学电子科学与工程学院,固体微结构物理国家重点实验室 210093

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 11-12

在线出版日期: 2017-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）