基于氮、氧修饰的高密度硅量子点的近红外光发射调控与光增益特性

摘要：

利用PECVD技术构建镶嵌于SiOxNy基质的高密度硅量子点,通过调节SiOxNy基质中的O与N的含量,调控硅量子点的表面态,研究其近红外发光特性.研究表明,N含量的适当增加有利于提高硅量子点表面O-Si-N相关表面态,进而极大增强硅量子点的近红外光发射强度,其光发射效率可提高1个数量级以上.

关键词： 高密度硅量子点 氮修饰 氧修饰 近红外光发射调控 光增益特性

作者: 林泽文 林圳旭 黄锐 张毅 宋捷 李红亮 徐骏 陈坤基

作者单位: 韩山师范学院材料科学与工程学院,广东潮州,521041;南京大学电子科学与工程学院,江苏南京,210093 韩山师范学院材料科学与工程学院,广东潮州,521041 南京大学电子科学与工程学院,江苏南京,210093

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 13-13

在线出版日期: 2017-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）