硅图形衬底中的G-line缺陷发光增强的研究
(0) 硅是一种间接带隙半导体材料,这一特性使得硅基光源的发展受到极大的限制,人们为此做出了许多尝试,包括硅纳米晶,特殊材料的参杂和离子注入,拉曼效应,外延生长GeSn材料以及缺陷发光等.其中,晶体硅A-center缺陷中束缚电子和自由空穴进行无声子辅助直接带隙复合产生的G-line发光(1278nm)因其具有线宽宽窄发光效率高的特点而受到研究人员的关注.本文报道了在硅纳米小孔阵列中的G-line发光增强,并对其发光特性进行了表征.本实验结果为硅基发光增强提供了一种新思路.
硅基光源器件 硅纳米小孔阵列 发光增强特性
邱幸枝 袁帅 夏金松
武汉光电国家实验室,华中科技大学,湖北省武汉市
国内会议
厦门
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16-17
2017-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）