外延生长法制备的Si基1.3微米量子点激光器
近年来通过制备硅基Ⅲ-Ⅴ族半导体激光器以实现高性能硅基光源的研究备受人们关注.在Si衬底上外延生长Ⅲ-Ⅴ族激光器材料的方法易于实现Ⅲ-Ⅴ族材料与Si衬底的大面积集成,因而成为一条很有希望的技术途径.本工作在生长了Ge缓冲层的Si(001)衬底上外延生长GaAs缓冲层，利用GaAs与Ge晶格常数非常接近的特点，生长出表面比较平整、位错缺陷较少的GaAs外延层。然后生长了多周期的应变超晶格位错阻挡层，进一步降低了穿透到外延层上部的位错密度。最后生长了1.3微米InAs/GaAs应变自组织量子点激光器结构，并制备出Si基1.3微米量子点激光器宽条形器件。
量子点激光器 外延生长法 位错密度 宽条形器件
杨冠卿 徐波 梁平 吕尊仁 胡颖 于天 刘峰奇 杨涛 陈涌海 王占国
中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室,北京100083
国内会议
厦门
中文
24-25
2017-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）