热光可调硅基RBRB微环中类EIT效应和Fano效应
(0) 在过去的几十年中,硅基耦合谐振腔中的类EIT效应逐渐成为研究热点,在光存储,慢光,光开关和非线性光学等方向中有许多应用,而实现EIT效应的结构有很多.而Fano效应因为具有陡峭而尖锐的的非对称响应谱和场增强效应,在纳米光子器件中具有重要应用,如调制器、光开关、传感器等.最近,在单个硅基谐振器中也观察到类EIT效应,它是利用腔内同时存在两个回音壁模式的相干耦合作用.但是当谐振腔参数改变时,两个模式都会同时改变,很难独立调节.而在RBR-MZI结构中,两个环腔中的模式可以独立调节,但是额外的MZI使得整个结构更大.
纳米光子器件 硅基耦合谐振腔 电磁诱导透明)效应 Fano效应
汪振政 黄庆忠 卢棋 夏金松
华中科技大学 武汉光电国家实验室(筹) 武汉 430074
国内会议
厦门
中文
37-38
2017-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）