Ge/Ge0.9Sn0.1/Ge量子阱的制备和表征

摘要：

通过向Ge中引入Sn形成Ge1-xSnx合金,可以使其能带结构向直接带隙转变,且与CMOS工艺兼容,是实现硅基光源最具有可行性的方案之一,具有重要的科学研究价值.在本文中,使用MBE在Si(001)衬底上外延生长了10个周期的Ge/Ge0.9Sn0.1/Ge量子阱结构,测试表明材料具有良好的晶格质量,观测到了明显的直接带隙发光,其光致发光(PL)谱的峰值位置在2043nm处,为进一步实现硅基激光器奠定了良好的材料基础.

关键词： 硅基激光器 量子阱结构 制备工艺 晶格质量

作者: 王楠 丛慧 薛春来 王启明

作者单位: 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 44-45

在线出版日期: 2017-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）