基于纳米梁微腔的锗量子点发光器件
(0) 传统的电互连因其有限带宽和高功耗,发展遇到了瓶颈.硅基光互连被认为是最有前景的下一代互连技术,但由于硅是间接带隙半导体材料,发光效率低,实现CMOS工艺可兼容的硅基通信波段发光是巨大的挑战,亟需突破.锗量子点具备发光波段在通信波长内,与CMOS工艺兼容等优点,被认为是一种实现硅基发光器件的可行途径.本文以实现高Q值的锗量子点发光为目标,在包含有13层锗量子点的340nm厚顶层的SOI上,设计制备纳米梁微腔以增强锗量子点的发光.
锗量子点发光器件 纳米梁微腔 制备工艺 发光特性
王玉西 夏金松
武汉光电国家实验室,华中科技大学,湖北省武汉市,430074
国内会议
厦门
中文
49-50
2017-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）