面向Si上Ge材料垂直腔面发射激光器的设计

摘要：

基于SOI上Ge虚衬底生长SiGe/Ge多量子阱材料制备了垂直共振腔发光二极管(RCLED).发现RCLED发光强度随注入电流密度增加出现非线性放大,同时在大注入电流密度下出现了FP腔模,说明了Ge在电泵浦下净光增益的存在.在实验结果的基础上,通过优化器件结构设计了出射波长为1600nm的SOI上SiGe/Ge多量子阱垂直腔面发射激光器(VCSEL).

关键词： 垂直共振腔发射激光器 多量子阱材料 结构优化 电流密度

作者: 林光杨 毛亦琛 王佳琪 李成 陈松岩 黄巍 李俊 汪建元

作者单位: 厦门大学物理系,半导体光子学研究中心,厦门 361005

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 51-52

在线出版日期: 2017-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）