自组装Ge量子点荧光的法诺共振增强
自组装锗量子点因其发光在1550nm左右的通信波段,并且其生长方式与CMOS工艺兼容,引起了人们广泛的关注与研究.利用各种微纳谐振腔结构提升Ge量子点的荧光品质,有望成为实现硅基集成的片上光源的重要途径.本文利用光子晶体平板作为F-P腔反射镜，来增强腔内部的Ge量子点荧光，低温下获得一系列近似等间距的法诺线型共振峰。其中，F-P腔模式因其在水平方向的F-P腔内部谐振，在垂直方向出射很少，可以类比成法诺共振中高Q值的暗模，而锗量子点因其类似点光源的辐射特性，在垂直方向光出射也较多，可以类比成法诺共振中的亮模。两者发生干涉效应，形成不对称线型的法诺共振峰。
锗量子点 荧光品质 法诺线型共振峰 辐射特性 干涉效应
崔成聪 夏金松
武汉光电国家实验室,华中科技大学,武汉,430074
国内会议
厦门
中文
53-54
2017-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）