Ge材料导带电子的晶格振动散射

摘要：

载流子的散射机制对锗材料的迁移率及光学性质具有重要的影响.本文通过构建直接带(Г)能谷谷内散射、间接带L能谷谷内散射以及(Г)能谷与L能谷之间的声子散射模型,计算载流子不同类型的散射几率,为能带改性锗材料在微电子、光电子等领域提供理论参考价值.

关键词： 锗材料 能带结构 晶格振动 散射几率

作者: 黄诗浩 谢文明 汪涵聪 林光杨 王佳琪 黄巍 李成

作者单位: 福建工程学院,信息科学与工程学院,福建福州,350118 厦门大学,物理科学与技术学院,福建 厦门,361005

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 55-56

在线出版日期: 2017-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）