利用脉冲激光退火在柔性基底上制备多晶GeSn薄膜

摘要：

采用磁控溅射的方法在柔性PI薄膜上生长出非晶GeSn薄膜,利用脉冲激光退火晶化为多晶GeSn薄膜.制备出了结晶性好,表面形貌较好且Sn偏析现象少的GeSn薄膜.

关键词： 柔性薄膜晶体管 锗锡薄膜 磁控溅射 脉冲激光退火 结晶性 表面形貌

作者: 张璐 王一森 李成 陈松岩 黄巍 汪建元

作者单位: 厦门大学物理系,半导体光子学研究中心,厦门 361005

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 63-64

在线出版日期: 2017-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）