改性的低温-高温法外延生长低位错密度硅基锗薄膜的研究

摘要：

本文提出了一种利用分子束外延系统(MBE),通过改性后的低温高温两步法,在(001)硅片上生长高质量应变驰豫的锗膜的方法.这种改性后的锗膜生长方法包括如下步骤:首先在380℃下生长低温层,其次在不同升温速率和沉积速率下生长380-600℃的变温层,最后在600℃下生长高温层.

关键词： 硅基锗薄膜 外延生长 低温-高温法 温速率 沉积速率

作者: 种海宁 王哲玮 叶辉

作者单位: 浙江大学现代光学仪器国家重点实验室 310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 65-66

在线出版日期: 2017-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）