硅基集成锗PIN探测器的制备

摘要：

硅基光互联中一个重要的组成部分就是高速的硅基探测器,而锗探测器具有与硅基COMS工艺兼容、响应波段覆盖通信波段、有着良好的电学性能等优势,成为目前制备硅基集成光电探测器的重要方案之一.利用分子束外延生长高质量Ge薄膜,制备了硅基集成锗PIN探测器,测试到了器件的IV曲线和光响应特性.

关键词： 硅基探测器 锗薄膜 分子束外延生长 曲线测试 光响应特性

作者: 宋金汶 夏金松

作者单位: 武汉光电国家实验室,华中科技大学,武汉

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 70-71

在线出版日期: 2017-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）