氧等离子体预处理钝化Ge-MOS界面

摘要：

在原子层沉积系统中采用远程氧等离子体原位预处理Ge表面生成一层高GeO2含量的GeOx钝化层,随后沉积0.5nm氧化铝和3nm氧化铪高k介质最后制备成MOS电容结构.氧等离子体预处理时间越长,GeOx钝化层中的GeO2含量越高,有利于界面态的降低;达到1分钟后,界面质量达到最佳水平.

关键词： 锗表面 原子层沉积系统 远程氧等离子体原位预处理 界面质量

作者: 洪海洋 李成 陈松岩 黄巍 徐剑芳

作者单位: 厦门大学物理系,半导体光子学研究中心,厦门 361005

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 72-73

在线出版日期: 2017-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）