Er掺杂硅基Y2O3纳米薄膜MOS结构电致发光器件
Er3+离子掺杂的氧化物由于在红外1530nm的光纤通讯波段具有广泛的应用前景而备受关注.Y2O3在红外波段的折射率高至1.9,光波导损耗低至1-1.5dB/cm,可用来制作硅基波导光放大器.本文采用原子层沉积(ALD)技术生长掺Er的Y203纳米层状复合薄膜(Y203:Er)，研究了高温退火处理对薄膜物相的影响，制备基于硅基MOS结构的电致发光器件(MOSLED)并获得了Er3+离子红外发光。
硅基波导光放大器 原子层沉积 三氧化二钇纳米薄膜 铒掺杂
杨扬 熊细欢 孙甲明
硅光子学与储能器件实验室,南开大学材料科学与工程学院 天津市津南区海河教育园区同砚路38号,天津300350
国内会议
厦门
中文
74-75
2017-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）