基于低势垒FM/I/n-Si磁隧道结的优化自旋注入效率和增强的Spin MOSFET信号
自旋电子学器件由于其有较小的单元尺寸,更低的功耗和新兴的电荷—自旋集成功能,因此可能成为超越摩尔定律物理极限的下一代电子器件.在众多半导体中,在硅上实现自旋电子学具有重要意义,因为硅是半导体行业中应用最普遍的材料,且成熟的硅工艺可以大大促进自旋电子器件的制备和大规模应用.应用格点非平衡格林函数方法，建立了可考虑任意隧道和肖特基势垒的输运模型，并且通过n-Si中温度依赖的费米能级和费米迪拉克分布，统一描述了热电子发射和隧道输运过程。应用此方法，计算了在不同势垒材料下FM/I/n-Si隧道接触的有效接触电阻、注入电流的自旋极化率、接触电阻的自旋不对称系数，以及垂直构型的自旋金属-氧化层-半导体场效应晶体管结构的磁阻比率。
自旋电子学器件 格点非平衡格林函数 热电子发射 隧道输运过程 磁阻比率
李俊 杨阳 吴振华 杨文 李成 陈松岩
厦门大学物理科学与技术学院物理系半导体光子学中心,福建厦门 361005 中国科学院微电子研究所微电子与集成技术重点实验室,北京 100029 北京计算科学研究中心,北京 100089
国内会议
厦门
中文
98-99
2017-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）