在硅和碳化硅上不加偏置的条件下对其进行等离子体室温掺杂及其物理机制的研究
掺杂在半导体工业中具有非常重要的意义.传统的半导体掺杂方法有两种,即热扩散和离子注入.热扩散通常需要高温和很长时间,能耗巨大、效率低,而且高温加热过程中半导体材料很容易受到来自周围环境中杂质的玷污.本文延续上述工作，对上述等离子体室温掺杂方法的物理机制进行深入的研究。需要说明的是，在等离子体处理过程中，即便不在待掺材料上施加偏置电压，在待掺材料与等离子体界面也会产生鞘层，存在鞘层电压。等离子体中的杂质离子进入鞘层时被加速，注入到待掺材料中。
硅元素 碳化硅 等离子体 室温掺杂 物理机制
侯瑞祥 李磊 方鑫 孙国胜 徐万劲 肖池阶 冉广照 秦国刚
北京大学物理学院,北京大学人工微结构与介观物理国家重点实验室 北京 100871 中国科学院半导体研究所 北京 100083
国内会议
厦门
中文
100-101
2017-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）