a-Ge的亲水性及其在Si-Si键合中的应用
Si-Si直接键合作为微电子领域的一项基本工艺越来越被关注.Si-Si直接键合是将两片镜片抛光的Si片经过表面清洗、活化处理、室温贴合及高温热处理等手段而实现晶片一体化的技术,虽然键合技术起步较晚,但发展极为迅速,其原理、方法和实验设备比较简单,而且不受键合材料的结构、晶向、点阵参数的影响.Si-Si直接亲水键合虽然可以在室温下通过范德瓦耳斯力进行贴合，然而要实现高强度的键合则需要800-1000℃的后期退火来实现，而这么高的退火温度显然无法满足大规模电路制备的需求，因此如何实现低温Si-Si键合(<400℃)逐渐受到人们的关注。有文献报道利用a-Si中间层能实现低温疏水的Si-Si键合，然而由于a-Si不具有亲水性，因此只能通过疏水键合来实现。众所周知，由于氢键的结合力比氢氧键的结合力低，因此疏水键合相对于亲水键合来说是比较难以实现的。另一方面，由于a-Si的结晶温度较高，在低温下键合并不能使其晶化，而非晶界面的存在将严重的影响光电子器件的性能，因此要实现低温高质量Si-Si键合则需要一种既能增强Si表面亲水性又能实现低温晶化的中间层材料。
微电子 中间层材料 硅-硅键合 亲水性
柯少颖 林绍铭 黄巍 李成 陈松岩
厦门大学物理系,厦门,361005
国内会议
厦门
中文
105-106
2017-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）