ITO调制金属/n-Ge接触势垒的研究
锗(Ge)材料因其较高的载流子迁移率以及与硅工艺兼容的性质成为下一代高性能集成电路半导体MOSFE器件沟道的首选替代材料.然而由于金属与n-Ge接触界面存在强烈的费米能级钉扎效应,使得金属与n-Ge接触势垒很高,接触电阻较大,影响器件性能的提高.在金属和n-Ge之间加入一定厚度的介质层通常被认为是一种有效减轻费米钉扎的方法.然而,由于大多数介质层本身的绝缘性,使得介质本身会引入额外的串联电阻,不利于接触电阻的降低.不同于传统的绝缘介质层材料,ITO本身具备较好的导电性能,以ITO作为金属和n-Ge的介质层,在减轻金属和n-Ge费米钉扎的同时又不会引入较大串联电阻,是一种较为理想的介质层材料.因而,研究ITO对于金属/n-Ge肖特基的势垒的调制机理具有重要意义.
锗材料 氧化铟锡 导电性能 调制机理 费米能级钉扎效应
黄志伟 毛亦琛 李成 陈松岩 黄巍 徐剑芳
厦门大学物理系,半导体光子学研究中心,厦门 361005
国内会议
厦门
中文
107-108
2017-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）