元器件ESD失效分析中的关键技术及其应用
要准确分析判断器件是否由于ESD造成的损伤或失效,在实际工程案例中通常存在几个难点:被发现的滞后性,电特性上与EOS难以区分,芯片内部的失效点难以定位,失效点的物理形貌难以判断,难以查找是哪个环节产生的静电放电损伤了器件,如何进行技术验证.本文将探讨,以上每个分析环节应该使用何种技术,以及在实验中应该做到什么,才能在逻辑上更为严密的确定器件的损伤或失效是由于ESD引起.
电子元器件 失效分析 静电放电
王有亮 梁晓思 来萍
工业和信息化部电子第五研究所
国内会议
西安
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21-24
2016-11-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)