单晶SiC基片的铜基研磨盘加工特性研究
采用铜基螺旋槽研磨盘对6H-SiC单晶基片的Si面和C面进行了单面研磨加工,系统研究了研磨压力、研磨盘转速和金刚石磨粒尺寸对SiC基片加工去除率和表面粗糙度的影响.结果表明,单晶SiC的C面和Si面具有明显的差异性,C面更易加工,其材料去除率比Si面大.研磨压力是影响材料去除率和表面粗糙度的主要原因,研磨压力越大,材料去除率越高,但同时表面粗糙度变大,较大的研磨压力会导致划痕的产生.在达到最佳表面粗糙度时,C面加工所需的转速比Si面大.磨粒团聚会严重影响加工表面质量,采用W3金刚石磨料比W1效果好,经W3金刚石5min的研磨加工后Si面从原始粗糙度从130nm下降至5.20nm,C面下降到5.49nm,表面质量较好.
铜基研磨盘 单晶碳化硅基片 加工特性 表面质量
梁华卓 路家斌 阎秋生
广东工业大学机电工程学院 广州 510006
国内会议
贵阳
中文
191-196
2016-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）