掠入射X射线反射法准确测量Si/SiO2纳米薄膜厚度

摘要：

掠入射X射线反射技术是纳米单层或多层膜结构表征的重要方法之一,该方法可获得纳米尺度单层或多层薄膜厚度、表面和界面平均粗糙度以及密度等相关参数.本文采用该方法测量10nm-100nm膜厚的Si/SiO2薄膜厚度、内部不同层界面粗糙度及密度,并与高分辨透射电镜方法进行了比较.通过国际比对证明了掠入射X射线反射测量纳米尺度膜厚的准确性,量值与国际等效.

关键词： 半导体纳米薄膜 硅 氧化硅 材料厚度 掠入射X射线反射法

作者: 任玲玲 高慧芳 贾亚斌 李旭 陶兴付 秦林

作者单位: 中国计量科学研究院,北京100029 中国计量科学研究院,北京100029;太原理工大学表面工程研究所,山西太原030024 太原理工大学表面工程研究所,山西太原030024

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国计量测试技术学术交流会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 74-78

在线出版日期: 2016-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）