磷化铟-硅异质结太阳电池模型计算
本文通过异质结模拟软件wx-AMPS模拟了结构为Ag/AZO/n-InP/p-Si/p+-Si/Au的InP-Si异质结太阳电池的效率.模拟参数有InP的掺杂浓度、禁带宽度、厚度以及背面场(Back Surface Field,BSF)的掺杂浓度与厚度,前表面复合速率等.模拟结果表明电池效率随着InP掺杂浓度、厚度的增加而降低,InP的带隙大于1.35eV后对电池效率的提升影响很小;BSF层的掺杂浓度和厚度增加对电池效率有一定提升,但并不显著.结合模拟结果和电池实际情况对模型进行优化,得到电池效率为29.46％,短路电流(Isc)为43.61mA/cm2,开路电压(Voc)为0.83V,填充因子(FF)为81.42％.
半导体材料 磷化铟 晶体硅 制备工艺 太阳电池
邱开富 沈辉
中山大学,广州市,510275
国内会议
广州
中文
145-153
2015-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）