硫化钼-硅异质结太阳电池Ⅰ-Ⅴ特性研究
二维材料与晶体硅形成的异质结太阳电池是当前太阳电池研究热点之一,大多数研究集中在石墨烯和硅形成的肖特基结太阳电池.为了改善器件的能带结构,在本工作中,采用禁带宽度可调的n-MoS2二维半导体材料与p-Si形成异质结器件.通过实验研究了退火时间对MoS2材料合成的影响,并对MoS2-Si异质结的暗电流和光电流曲线进行测量和分析.最后通过异质结模拟软件wx-AMPS对MoS2-Si异质结结构进行效率计算和能带分析,得到薄膜厚度和载流子浓度对器件开路电压的影响.本实验为制备高效低成本的异质结太阳电池新结构提供指导.
半导体材料 硫化钼 晶体硅 制备工艺 异质结太阳电池
李圣浩 沈辉
中山大学,广州市,510275
国内会议
广州
中文
161-165
2015-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）