衬底温度对CIS薄膜的影响
本文通过单靶一步溅射再退火的办法在钠钙玻璃衬底与镀钼衬底上制备了铜铟硒(CIS)薄膜,通过优化工艺参数,获得了结晶性良好的CIS薄膜,在此基础上可进行下一步的Ga或Al元素的掺杂,重点分析研究了溅射沉积薄膜时衬底温度以及不同退火温度对薄膜结晶性的影响;发现衬底温度为150℃时,退火获得的CIS薄膜结晶性最好;不同的退火温度对Mo衬底上的CIS薄膜结晶性影响不大.实验反映出靶材致密度对溅射所得CIS薄膜的影响,一步法制备CIS对靶材质量要求较高.
半导体材料 铜铟硒薄膜 制备工艺 衬底温度 结晶性能
吴兆 洪瑞江
中山大学,广州市,510006
国内会议
广州
中文
167-171
2015-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）