碳化硅量子点荧光特性及其致病镰刀菌活体细胞标记机制

摘要：

研究了腐蚀法制备的碳化硅量子点荧光特性及其致病镰刀菌活体细胞标记强度与机制.结果表明当激发光为320nm时SiC量子点光致发光强度最大,随着激发光波长增加,发射光波长出现红移现象,且具有较高的斯托克斯位移,由于荧光发射可以全色调谐,从而实现了致病镰刀菌的近紫外荧光检测,可用来对自发荧光细胞的有效检测与定量分析.进一步对致病镰刀菌活体细胞SiC量子点荧光标记机制的研究结果表明,量子点通过网格蛋白依赖的内吞方式进入活体细胞内部,并均匀分布,从而实现了对致病镰刀菌的稳定荧光标记.另外基于实验结果与理论分析,提出了致病镰刀菌SiC量子点荧光标记模型.

关键词： 碳化硅量子点 荧光特性 致病镰刀菌 活体细胞 标记机制

作者: 柳洪洁 孙丰飞 宋月鹏 朱彦敏 康杰 Kim Hyoungseop

作者单位: 山东农业大学动物科技学院,山东泰安271018 山东农业大学机械与电子工程学院,山东泰安271018 韩国浦项工科大学,韩国浦项 790784

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国材料科学与图像科技学术会议暨校地企产学研合作创新论坛

会议地点: 洛阳

会议语种:中文

页码: 73-79

在线出版日期: 2016-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）