采用Ag-Cu-In-Ti钎料真空钎焊SiO2f/SiO2复合陶瓷与铌
设计了Ag-(15～26)Cu-(13～20)In-(3.1～6.9)Ti活性钎料,分别在780℃/20min、780℃/40min和800℃/10min三种规范下实现了SiO2f/SiO2复合材料与铌的连接,分析了接头微观组织,测试了接头室温抗剪强度.其中,800℃/10min钎焊规范下的接头平均抗剪强度最高,达到21.6MPa;微观分析结果表明,接头中靠近SiO2f/SiO2母材界面处形成了厚度约为2μm的连续扩散反应层,靠近铌的界面钎料与母材也形成了良好的结合.该钎焊规范下接头界面物相依次为:SiO2/SiO2→TiO+TiSi2→TiO+Cu3Ti→Ag(s,s)+Ag3In+Cu(s,s)→Nb.
二氧化硅基复合陶瓷 铌 真空钎焊 对接接头 微观组织 抗剪强度
陈波 吴世彪 熊华平 李文文
北京航空材料研究院焊接与塑性成形研究所,北京100095
国内会议
西安
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104-108
2016-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）