腐蚀型高斯变迹光纤Bragg光栅折射率传感器
高斯变迹光纤Bragg光栅(FBG)较常规FBG具有更好的旁瓣抑制能力.本文对不同腐蚀深度的高斯变迹FBG的基模谐振波长与外部介质折射率(SRI)之间的关系进行实验研究.实验表明,随着SRI逐渐增大,基模谐振波长向长波方向的移动幅度越来越大,与仿真结果基本吻合;3dB带宽随着SRI的增大越来越窄;反射峰强度随SRI的增大略微减小,但当SRI接近FBG的包层或纤芯折射率时,反射峰强度将迅速降低.这些结果为高斯变迹FBG应用于生物化学传感方面的折射率测量奠定了基础.
折射率传感器 光纤Bragg光栅 高斯变迹 基模谐振波长 外部介质折射率
罗彬彬 赵明富 石胜辉 钟年丙 汤斌 宋涛 邹雪
重庆市光纤传感与光电检测重点实验室重庆理工大学 重庆610054;现代光电检测技术及仪器重庆市高校重点实验室重庆理工大学 重庆400050
国内会议
广州
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519-523
2016-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)