IGBT串联电路的仿真研究

摘要：

通过仿真研究了影响IGBT串联动态不均压的因素.首先,IGBT自身参数不同会使串联IGBT承受电压不均衡.本文借助Saber软件中的IGBT1模型分别研究了IGBT栅-射极电容、集-栅极电容和关断电流拖尾时间不同所带来的影响;其次,外围电路参数不一致也会使串联IGBT承受电压不均衡,其中主要是栅极驱动电阻的不同和栅极驱动信号延时时间的不同.

关键词： 绝缘门极双极型晶体管 串联电路 电压不均衡 电容参数 信号延时

作者: 董新刚

作者单位: 中国工程物理研究院电子工程研究所 四川 绵阳 621900

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届电子信息技术学术年会

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 783-789

在线出版日期: 2016-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）