硅上氮化硅膜厚样片的制备
在半导体行业内，薄膜厚度是一个重要的参数，膜厚测量仪是测量薄膜厚度的专用仪器，其测量结果的准确性将会严重影响被测器件中膜厚尺寸测量的准确度，进而会影响器件的性能，因此，有必要进行校准，确保其量值准确可靠。首先论述了膜厚测量仪应用的广泛性以及膜厚样片用于校准膜厚测量仪的重要性;其次,介绍了硅上氮化硅(Si3N4/Si)膜厚样片制作的必要性,并从样片的图形设计、加工工艺选择等方面详细阐述了硅上氮化硅膜厚样片的研制过程;最后,对已试制的膜厚样片的均匀性、稳定性进行了相应的考核及分析,分析结果表明研制的硅上氮化硅膜厚样片具有较好的稳定性.
氮化硅膜厚样片 制备工艺 均匀性 稳定性
赵琳 李锁印 韩志国 赵革艳 邓敏庆 梁法国
中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051
国内会议
昆明
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2016-08-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）