高空穴迁移率的长程有序PbS纳米晶单层薄膜
半导体纳米晶超结构自组装薄膜由于纳米晶之间相互作用形成的集体特应,使其成为制备发光二极管,太阳能电池,场效应晶体管,光探测器,记忆及热电等器件最有前景的材料.然而,纳米晶表面的长链配体虽使其能够很好的稳定在溶液中,但导致的长的粒子间距及弱的耦合能严重限制了纳米粒子的电学传输特性.为提高纳米晶超结构自组装薄膜的电学传输特性,最便捷有效的方法是用短链配体取代涂覆在固体基底上的纳米晶表面的长链配体.用此方法纳米晶自组装薄膜的导电特性得到提高,但由配体交换引入的体积收缩严重破坏了自组装薄膜的长程有序性.由长程无序所带来的系统的无序严重抑制了新的电学特性的实现,如,mini-band.因此,维持纳米晶超结构自组装薄膜长程有序是一个重要且长期追求的目标.因此，本工作在维持PbS纳米晶超结构自组装薄膜长程有序的前提下，提高其空穴的迁移率。
半导体纳米晶 硫化铅 超结构薄膜 自组装反应 长程有序 空穴迁移率
赵曼 陆晨光 唐智勇
中国科学院,国家纳米科学中心 北京市海淀区中关村北一条11号,100190
国内会议
“可控自组装体系及其功能化”重大研究计划2015-2016年度学术交流会
广州
中文
148-149
2016-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）