使用深能级瞬态谱研究P型硅太阳电池的光率机理

摘要：

通过DLTS从微观机理上说明了磷吸杂以及氢化处理后P型多晶硅片少子寿命提高的原因，从宏观及微观上分析了AlOx和AlOx/SiNx叠层钝化的吸杂及未吸杂硼掺杂多晶硅寿命样品的LeTID现象。

关键词： 硅太阳电池 光率机理 多晶硅 深能级瞬态谱

作者: 王文静 周春兰 郑雄

作者单位: 中国科学院电工研究所 中国科学院大学

会议类型: 国内会议

会议名称: 2018 年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会

会议地点: 南昌

会议语种:中文

页码: 1-24

在线出版日期: 2018-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）