铸造单晶硅材料--生长和缺陷控制

摘要：

铸造单晶硅是目前光伏硅晶体发展的重要方向，面临高位错密度、单晶率、籽晶成本和材料利用率等问题的挑战，位错(包括分散位错和位错团)是制约单晶硅质量的关键因素，晶界工程可以降低位错团，明显提高晶体质量。

关键词： 单晶硅 晶体生长 缺陷控制 晶界特性

作者: 杨德仁

作者单位: 硅材料国家重点实验室(浙江大学)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2018 年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会

会议地点: 南昌

会议语种:中文

页码: 1-34

在线出版日期: 2018-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）