提拉法单晶硅生长系统中碳杂质输运与控制的数值模拟与实验验证

摘要：

本文阐述了提拉法单晶硅生长系统中碳杂质输运与控制的数值模拟与实验验证，结果表明：过量碳氧杂质降低CZ-Si工艺中的晶体品位，碳杂质对少流子寿命的危害主要发生在氧含量较高的CZ-Si晶体中，气体导流筒与Si熔体间隙对C杂质输运影响取决于扩散距离。

关键词： 单晶硅 提拉法 碳杂质输运 控制策略 数值模拟

作者: 刘鑫 原田博文 宫村佳儿 韩学峰 中野智 西泽伸一 柿本浩一

作者单位: 九州大学应用力学研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 2018 年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会

会议地点: 南昌

会议语种:中文

页码: 1-30

在线出版日期: 2018-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）