Hydrogenated Heterojunction P-type Silicon Solar Cells with VOCs over 700 mV using Czochralski and Multi-Crystalline Si Wafers

摘要：

a-Si Based Heterojunction Cells Excellent surface passivation of a-Si:H High VOCs of up to 750 mV ”1” The entire device can be fabricated at temperatures below 200 °C Avoid degradation of bulk lifetime in low-quality silicon

作者: Brett Hallam D. Chen J. Shi M. Kim B. Stefani M. Wright A. Soeriyadi Z. Holman

作者单位: Research Director,Advanced Hydrogenation

会议类型: 国内会议

会议名称: 2018 年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会

会议地点: 南昌

会议语种:英文

页码: 1-21

在线出版日期: 2018-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）