铸造单晶中的生长微孪晶

摘要：

在铸造单晶硅底部、籽晶上方区域分布宽度为10-30nm，长度几百微米-几cm沿<112>生长的微孪晶,微孪晶有3种形态独立、V型、Y型，可能的形核原因为固液界面处的杂质点。

关键词： 铸造单晶硅 晶体生长 微孪晶 微观形貌

作者: 李杭霏 原帅 余学功 杨德仁

作者单位: 浙江大学硅材料重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 2018 年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会

会议地点: 南昌

会议语种:中文

页码: 1-20

在线出版日期: 2018-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）