新型氧化硅钝化特性研究
衬底采用N型双面抛光单晶硅片,新型氧化硅:拥有光明的应用前景,新型氧化硅钝化效果十分优异SiOx1250μs SiOxAlOx2200μs,制备工艺简单,无需高温,提高制备效率,从制备方式上实现量产,进一步优化钝化效果。
氧化硅 钝化特性 制备工艺
龚磊
中国科学院电工研究所
国内会议
南昌
中文
1-16
2018-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
氧化硅 钝化特性 制备工艺
龚磊
中国科学院电工研究所
国内会议
南昌
中文
1-16
2018-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)