一种在直拉法单晶硅生长过程中实时监测结晶界面形状的方法
主要提出了一种在连续长晶过程中间接观测固液界面形状的方法通过观测晶体侧表面的温度分布,能够预测固液界面凸度的变化,考虑到实际长晶过程中,晶体拉速和长晶高度不断变化,晶体侧表面温度监测点需要采取两个,监测点的位置距离三相点(熔点)越近,无量纲参数φ对界面凸度的变化响应越灵敏;在长晶过程中,晶体侧表面温度监测的位置可以保持不变.
单晶硅 制备工艺 界面形状 辐射换热
丁俊岭 刘立军
西安交通大学能源与动力工程学院晶体生长与太阳能电池材料研究组
国内会议
南昌
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2018-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）