非晶硅窗口层的自然氧化及其对SHJ太阳电池性能的改善

摘要：

利用Cat-CVD高氢稀释的条件，制备出自然后氧化的n-a-Si:H其结构因子低，短波透光性好，电学性能较好。将高氢稀释下自然后氧化的n-a-Si:H薄膜用于SHJ电池窗口层，电池短路电流密度及效率显著提升。

关键词： 太阳电池 非晶硅窗口层 自然氧化 电学性能 短波透光性

作者: 陈仁芳

作者单位: 上海微系统所

会议类型: 国内会议

会议名称: 2018 年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会

会议地点: 南昌

会议语种:中文

页码: 1-11

在线出版日期: 2018-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）